Unión pn lateral de MoS2 formada mediante dopaje químico para su uso en alta
La unión pn lateral de MoS2 fabricada con electrodos asimétricos de Pd y Cr/Au mostró una fotorrespuesta altamente eficiente (eficiencia cuántica externa máxima de 7000%, detectividad específica de 5 × 10 (10) Jones y relación de conmutación de luz de 10 (3)) y un comportamiento rectificador ideal.
Unión p–n lateral de MoS2 formada mediante dopaje químico para su uso en alta
La unión lateral MoS2p–n fabricada con electrodos asimétricos de Pd y Cr/Au mostró una fotorrespuesta altamente eficiente (eficiencia cuántica externa máxima de 7000%, detectividad específica de 5 × 1010Jones y relación de conmutación de luz de 103) y un comportamiento rectificador ideal.
Unión pn lateral de MoS2 formada mediante dopaje químico para su uso
La unión pn lateral de MoS2 fabricada con electrodos asimétricos de Pd y Cr/Au mostró una fotorrespuesta altamente eficiente (eficiencia cuántica externa máxima (EQE) de ~ 7000 %,...
Heterojunción lateral multicapa/monocapa de MoS₂ para alto rendimiento
Unión pn lateral de MoS₂ formada mediante dopaje químico para su uso en optoelectrónica de alto rendimiento. ACS nano 8, 9332 (2014). Artículo CAS PubMed Google Scholar.
Síntesis de un lateral WS2-MoS2 dopado selectivamente con Nb
En este estudio, se realizó dopaje selectivo con Nb (tipo P) en la capa WS2 de una heteroestructura lateral WS2-MoS2 mediante un método de deposición química en fase de vapor (CVD) utilizando un precursor en fase de solución...
- ¿Qué tan eficiente es una unión pn lateral de Mos 2?
- La unión p–n lateral de MoS 2 fabricada con electrodos asimétricos de Pd y Cr/Au mostró una fotorrespuesta altamente eficiente (eficiencia cuántica externa máxima de ∼7000%, detectividad específica de ∼5 × 10 10 Jones y relación de conmutación de luz de ∼10 3) y un comportamiento rectificador ideal.
- ¿Cómo se preparan las homojunciones MOS monocapa laterales?
- En este artículo, las homojunciones MoS monocapa laterales se prepararon mediante una técnica de dopaje selectivo con plasma de nitrógeno. Las películas delgadas de MoS monocapa se sintetizaron por deposición química de vapor y se caracterizaron por fotoluminiscencia, microscopio de fuerza atómica y espectroscopia Raman.
- ¿Qué es una técnica de dopaje de plasma controlable?
- Se utiliza una técnica de dopaje de plasma controlable, compatible con el proceso CMOS tradicional, para realizar homojunciones pn y npn basadas en MoS monocapa, e impulsa las posibles aplicaciones de materiales 2D en dispositivos y circuitos electrónicos y optoelectrónicos. ].
- ¿Qué son las imágenes microscópicas de fuerza atómica para un MoS2?
- Imágenes microscópicas de fuerza atómica (las barras de escala son de 3 μm) para un MoS2(a) antes y (b) después del dopaje con AuCl3 de 20 mM. La formación de nanoagregados de Au comprende la transferencia de carga superficial entre los iones AuCl4 y MoS 2. 3 2. Electrodos y efectos de dopaje químico para transistores MoS2
- ¿Los OM monocapa tienen una homojunción PN?
- Especialmente, el MoS monocapa tiene una banda prohibida directa de 1,8 eV, lo que ha atraído mucha atención en el campo de los dispositivos electrónicos y optoelectrónicos, como células solares [ ], fotodetectores y dispositivos emisores de luz [ la película hace que una parte de ella cambie de tipo n a tipo p, obteniendo una homojunción pn. (b) fue su ilustración esquemática 3D.
- ¿Se pueden usar las uniones laterales en dispositivos optoelectrónicos?
- En este trabajo, informamos sobre un tipo lateral de MoS, y por lo tanto formamos una unión lateral sin transferencia, demostrando su potencial de uso en diversos dispositivos optoelectrónicos. Las uniones laterales se han destacado intensamente [ ]. Por lo tanto, la unión lateral conduce a una fotorrespuesta más eficiente.
